此前，业内传出消息，苹果已初步确认将采用英特尔18a-p工艺用于入门级m系列芯片的制造。

近日，多家科技媒体进一步披露，联发科亦将携手英特尔，其天玑系列SoC将由英特尔代工，并导入其最新一代14A制程工艺。

此举标志着英特尔与联发科首次建立正式合作关系，具有里程碑意义。

但需指出的是，将英特尔14A工艺落地于智能手机SoC并非简单移植，技术门槛极高。

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关键在于，英特尔在18A与14A节点全面启用背面供电架构（PowerVia），虽可释放前端布线资源、提升晶体管密度与能效比，却同步加剧了局部热密度与自发热效应（Self-Heating Effect）。

受限于智能手机极度紧凑的内部堆叠空间及有限散热能力，该热挑战对芯片长期高负载稳定性构成严峻考验，或需联合优化封装设计、系统级功耗调度及终端侧强化散热方案（如VC均热板、局部液冷等）方能妥善应对。